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    化學氣相沉積系統每一部工程作品都精雕細琢

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    等離子體增強化學氣相沉積系統CVD

    多功能電感耦合等離子體增強化學氣相沉積系統(CVD)是用來制備高純、高性能固體薄膜的主要技術,主要借助微波或射頻的方法將目標氣體進行電離,促進化學反應在較低的溫度下進行,從而在基片上沉積出所期望的薄膜。

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      多功能電感耦合等離子體增強化學氣相沉積系統(CVD)是用來制備高純、高性能固體薄膜的主要技術,主要借助微波或射頻的方法將目標氣體進行電離,促進化學反應在較低的溫度下進行,從而在基片上沉積出所期望的薄膜。


      目前項目團隊自主研發的CVD設備可在多種襯底上(如金屬、氧化物、半導體表面)直接生長以石墨烯為代表的各類新型二維材料,用于新材料、新器件的研發。工藝簡單廉價,且具有傳統半導體生長工藝的兼容性。

      等離子體增強化學氣相沉積系統CVD等離子體增強化學氣相沉積系統技術參數

    應用案例

      CVD應用——Graphene在任意襯底上的無催化生長

      CVD應用——外延Graphene/BN異質結與摩爾超晶格

      CVD應用——Graphene的各向異性刻蝕技術發展

      CVD應用——Graphene的各向異性刻蝕技術發展2

      CVD應用——MoS2的原位氧取代摻雜和相變調控

      CVD應用——MoS2的原位氧取代摻雜和相變調控2

      CVD應用——外延構筑各種MoS2范德華異質結

      CVD應用——二/四英寸連續單層MoS2 的取向外延生長

      CVD應用——二/四英寸連續單層MoS2 的取向外延生長2

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