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    非導(dǎo)電樣品在掃描電鏡下如何成像?

    日期:2025-03-24

    非導(dǎo)電樣品在掃描電鏡(SEM)下成像時,由于電子束轟擊樣品會導(dǎo)致電荷積累,進(jìn)而產(chǎn)生充電效應(yīng),這可能導(dǎo)致圖像畸變、漂移甚至無法成像。以下是幾種常見的成像方法:

    1. 金屬鍍膜

    在樣品表面沉積一層導(dǎo)電薄膜(如金、鉑、鉻、碳等),形成導(dǎo)電路徑,使積累的電子逸散:

    熱蒸發(fā)鍍膜(金、鉑等,適用于生物樣品)

    磁控濺射鍍膜(均勻度好,適用于細(xì)膩結(jié)構(gòu))

    碳鍍膜(適用于 EDS/EBSD,不影響成分分析)

    適用情況:適用于大多數(shù)高分辨率成像需求,但可能影響表面微觀結(jié)構(gòu)。

    2. 低真空模式(環(huán)境掃描電鏡,ESEM)

    使用低真空(10-100 Pa)或潮濕環(huán)境,引入水蒸氣或氣體,提升電子散射,從而中和充電:

    適用于未經(jīng)鍍膜的樣品(如生物樣品、陶瓷、聚合物等)

    保持樣品原始形貌

    但分辨率略低于高真空模式

    適用情況:適用于不希望破壞樣品表面的情況,如生物樣品、聚合物等。

    3. 低加速電壓成像

    降低電子束加速電壓(如 < 5 kV),減少電子穿透深度,降低樣品的電荷積累:

    低電壓模式可減少表面電荷積累

    適用于較薄或較低密度的非導(dǎo)電樣品

    分辨率較高,但可能信噪比降低

    適用情況:適用于無鍍膜成像,但對信號采集要求較高。

    4. 充電補(bǔ)償器

    在 SEM 中引入低能量電子槍(如負(fù)電荷補(bǔ)償槍),向樣品表面釋放低能電子,中和積累的正電荷:

    需要特定的設(shè)備支持

    適用于一些情況下的無鍍膜成像

    適用情況:適用于超高精度成像,但成本較高。

    5. 使用導(dǎo)電膠或銀漿固定樣品

    用導(dǎo)電膠(碳膠、銀膠)或銅導(dǎo)電膠帶連接樣品與 SEM 樣品臺

    減少電荷積累,提高電子泄放

    適用于小樣品,但不適用于大面積均勻成像

    適用情況:適用于大塊樣品或局部區(qū)域分析。

    以上就是澤攸科技小編分享的非導(dǎo)電樣品在掃描電鏡下如何成像的介紹。更多掃描電鏡產(chǎn)品及價(jià)格請咨詢 

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    作者:澤攸科技


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