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選擇掃描電鏡（SEM）的加速電壓是優化成像和分析質量的關鍵步驟，需綜合考慮樣品的類型、目標分辨率以及觀察或分析的具體需求。以下是一些指導原則：

1. 加速電壓的定義和作用

加速電壓（Accelerating Voltage）指電子槍中電子束被加速所用的電壓，通常以 kV 為單位。加速電壓會影響：

電子束的穿透深度：加速電壓越高，電子能量越大，電子束在樣品中穿透更深。

圖像分辨率：高電壓通常提供更高分辨率，但會增加樣品損傷。

信號類型：不同加速電壓下，背散射電子（BSE）、二次電子（SE）和 X 射線信號的強度會發生變化。

2. 加速電壓選擇的具體因素

(1) 樣品的類型

非導電材料（如陶瓷、聚合物、生物樣品）：

使用 低加速電壓（1–5 kV），可減少樣品充電效應并獲得更好的表面細節。

導電材料（如金屬、半導體）：

使用 中高加速電壓（10–20 kV），有助于提高信噪比和穿透能力。

薄膜或納米材料：

使用 低加速電壓（3–10 kV），避免樣品過多損傷。

(2) 成像需求

表面觀察：

低加速電壓（1–5 kV）以增強二次電子信號，突出表面細節。

次表面或內部結構觀察：

中高加速電壓（10–20 kV）增加背散射電子和 X 射線信號，獲得更深入的樣品信息。

(3) 分析需求

能譜分析（EDS）：

通常選擇 15–20 kV 以激發樣品的 X 射線信號，同時穿透深度足夠解析元素信息。

EBSD 分析：

使用 15–30 kV，保證晶體取向數據的準確性。

(4) 樣品的尺寸和厚度

薄樣品（如生物薄切片）：

使用低加速電壓，避免電子束穿透和樣品損傷。

大塊樣品：

使用中高加速電壓以獲得內部結構的信號。

3. 加速電壓對成像的影響

影響因素低加速電壓高加速電壓

分辨率 較低，受電子束散射影響 較高，電子束更加集中 

樣品損傷 較小 較大 

充電效應 減少 增加 

穿透深度 淺，適合表面信息 深，適合次表面和體積信息 

信號強度 二次電子信號增強，適合表面觀察 背散射電子和 X 射線信號增強，適合分析 

4. 常見問題與優化建議

樣品充電效應明顯：

降低加速電壓（<5 kV），或對樣品進行導電涂層處理（如噴金）。

樣品過熱或損傷：

使用低加速電壓，并降低電子束強度（降低束流）。

信噪比低：

增加加速電壓以增強信號強度，或者使用更高靈敏度的檢測器。

5. 加速電壓調節流程

根據樣品類型和實驗需求選擇初始電壓范圍。

在 低電壓 下觀察樣品表面，確認信號質量和細節。

根據目標分辨率和分析深度逐步調整電壓，同時優化圖像或分析結果。

以上就是澤攸科技小編分享的如何選擇掃描電鏡的加速電壓。更多掃描電鏡產品及價格請咨詢