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透射電鏡原位加熱/電學(xué)樣品桿廠家-樣品桿價(jià)格

日期：2022-05-17

PicoFemto系列透射電鏡原位加熱/電學(xué)樣品桿，基于MEMS原位芯片技術(shù)，通過更換多種類型的加熱芯片或電學(xué)芯片，在透射電鏡中實(shí)現(xiàn)對(duì)樣品加熱或加電的原位功能。

PicoFemto 系列透射電子顯微鏡 原位加熱/電學(xué)樣品桿 是在標(biāo)準(zhǔn)外形的透射電鏡樣品桿內(nèi)安裝MEMS工藝制成的加熱芯片和電學(xué)測(cè)量芯片。加熱芯片可對(duì)樣品進(jìn)行可控溫度的加熱，電學(xué)測(cè)量芯片可對(duì)樣品進(jìn)行電性質(zhì)測(cè)量。并可在進(jìn)行加熱和電學(xué)測(cè)量的同時(shí)，動(dòng)態(tài)、高分辨地對(duì)樣品的晶體結(jié)構(gòu)、化學(xué)組分、元素價(jià)態(tài)進(jìn)行綜合表征，大大地?cái)U(kuò)展了透射電子顯微鏡的功能與應(yīng)用領(lǐng)域。

原位加熱/電學(xué)樣品桿技術(shù)指標(biāo)

電學(xué)測(cè)量	加熱控溫
1.包含一個(gè)電流電壓測(cè)試單元；	1.溫度范圍：室溫至1200℃；
2.電壓輸出：Max ±200V， Min ±5 uV；	2.加熱功率：Max 30W；
3.電流測(cè)量：Max ±1.5 A， Min ±100fA；	3.控溫穩(wěn)定性：優(yōu)于±0.1℃；
4.恒壓或恒流模式	4.PID/Pulse/Manual三種控溫方式；
5.軟件控制，數(shù)據(jù)自動(dòng)保存。	5.軟件控制，數(shù)據(jù)自動(dòng)保存。

原位加熱電學(xué)樣品桿.png

原位加熱/電學(xué)樣品桿產(chǎn)品選型

原位加熱/電學(xué)樣品桿 具有單傾、雙傾兩個(gè)版本，電極數(shù)可選；同時(shí)可拓展真空轉(zhuǎn)移芯片桿、低溫芯片桿，用戶可根據(jù)實(shí)驗(yàn)需求自行選擇。

澤攸科技提供適配Thermofisher/FEI（賽默飛）、JEOL（日本電子）、Hitachi（日立）各型號(hào)透射電子顯微鏡及極靴的不同型號(hào)芯片式樣品桿，支持定制。

原位加熱/電學(xué)樣品桿國(guó)內(nèi)部分用戶

透射電鏡樣品桿-北京工業(yè)大學(xué).png 透射電鏡樣品桿應(yīng)用-安徽大學(xué).png 透射電鏡樣品桿應(yīng)用-北京大學(xué).jpg 透射電鏡樣品桿應(yīng)用-北京科技大學(xué).png 透射電鏡樣品桿應(yīng)用-東南大學(xué).jpg 透射電鏡樣品桿應(yīng)用-廣西大學(xué).jpg

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