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眾所周知，憶阻器的電阻值可以通過電場進行調節，這類材料在未來計算機架構以及大規模計算領域發揮重要作用。隨著這一領域研究的推進，人們陸續提出了幾種調節機制來解釋這一現象，但是由于缺乏直接證據，該現象的微觀物理機制一直都不明確。

近日，武漢理工大學利用原位透射電子顯微鏡技術觀測了Cu2Se半導體在電場作用下電阻和取向疇的可逆切換，在施加電場的同時利用透射和衍射成像監測微觀結構的原位演變過程，從而提供了阻變特性演變規律的直接證據。相關研究成果以“Electroresistance in multipolar antiferroelectric Cu2Se semiconductor”為題發表在國際學術期刊Nature Communications上。博士生白輝和吳勁松教授為本文共同一作，吳勁松教授、蘇賢禮研究員和唐新峰教授為共同通訊作者。

原文鏈接：https://doi.org/10.1038/s41467-021-27531-x

圖1 實驗方法

?    該實驗利用澤攸科技的PicoFemto?原位TEM-STM電學測量系統在透射電鏡內搭建了測試平臺，實驗樣品被制備在半銅環上并固定在樣品桿一端。進入電鏡后，原位桿上的機械手在納米尺度準將電極與樣品ZHI定位置對接上并施加電場/電流，同時原位高分辨觀測微觀結構的演變過程。

圖2 微觀結構與物性測量的對應關系 

圖3  原子像

圖4 實驗中澤攸科技原位樣品桿

以上就是澤攸科技對Nature子刊：武漢理工大學發現用于憶阻器的多極反鐵電半導體Cu2Se，關于整套系統價格請咨詢18817557412(微信同號)